[15a-A404-1~11] 17.3 Layered materials

[15a-A404-9] Deposition of ZrS₂ by MOCVD using Zr[N(C₂H₅)CH₃]₄ and [(t-C₄H₉)₂S₂] as precursors

〇Kota Yamazaki¹, Yusuke Hibino^1,4, Yuya Oyanagi¹, Yusuke Hashimoto¹, Naomi Sawamoto¹, Hideaki Machida³, Masato Ishikawa³, Hiroshi Sudo³, Hitoshi Wakabayashi², Atushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.Tokyo Tech., 3.Gas-phase Growth Ltd., 4.JSPS Research Fellow)

Keywords:transition metal dichalcogenide, metal organic chemical vapor deposition

遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)は極薄膜における優れた電気特性や特異な性質から近年注目を集める物質である。代表的な二硫化モリブデン(MoS₂)などのⅣB族TMDに対して、ⅣB族TMDはより高移動度であることが期待され、ⅣB族TMDの中でも二硫化ジルコニウム(ZrS₂)は比較的安定であり実用化への期待が高い。本研究では、これまでほとんど報告のない有機金属化学気相成長(MOCVD)によるZrS₂成膜を試みたため報告する。