[15a-D221-1~6] 6.2 カーボン系薄膜

[15a-D221-3] 水素プラズマによる欠陥終端処理後のa-C:H膜に対する表面増強ラマン分光法による分析

〇古橋 未悠¹、野老山 貴行²、大橋 靖之²、近藤 博基³、上坂 裕之⁴、中島 悠也⁵、古木 辰也⁴、石川 健治³、堀 勝³、梅原 徳次² (1.岐大院自然、2.名大院工、3.名大低温プラズマ、4.岐大工、5.富士電機)

キーワード：DLC膜、ダングリングボンド、表面増強ラマン分光法

水素化DLC膜に対して水素プラズマを照射することで，表層の欠陥を水素で終端できる．しかし，ESR測定からは膜全体の平均欠陥密度しかわからない．本研究では，表面増強ラマンで水素プラズマ影響層の深さを明らかにし，影響層の欠陥密度を試算した．その結果，プラズマ処理膜の水素含有量は表面から23 nmの間で未処理膜全体の平均値からほぼ一定の増加量を示し，その層の欠陥密度が均一に終端されることが示唆された．