[15a-PA5-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [15a-PA5-10] Epitaxial Growth and Characterization of Various Plane of Single-Phase Metastable Rhombohedral Indium Tin Oxide Thin Films by Using Mist CVD Method.

〇(M1)Kazuki Shimazoe¹, Hiroyuki Nishinaka¹, Daisuke Tahara¹, Yuta Arata¹, Masahiro Yoshimoto¹ (1.Kyoto Inst. of Tech.)

Keywords:ITO, Indium Oxide, Mist CVD Method

透明導電膜として最も用いられているITOの準安定相であるrh-ITOは合成に高温高圧が必要なため、薄膜での成長の報告はほとんどなされていない。そこで、本研究ではミストCVD法を用いて、種々の面方位のrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長を行い、その錫添加による物性の変化を調査した。その結果、rh-ITOは従来から用いられている最安定相のbcc-ITO単結晶と同等の物性を有することが示唆された。