The 67th JSAP Spring Meeting 2020

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Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices" » 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[15a-PA5-1~25] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

Sun. Mar 15, 2020 9:30 AM - 11:30 AM PA5 (PA)

9:30 AM - 11:30 AM

[15a-PA5-11] Anneal Effect on PL of ZnO Nanorods Prepared by Electrochemical Deposition

〇(B)Yuki Goto1, Satoru Suzuki1 (1.N.I.T. Kisarazu Col.)

Keywords:Zinc oxide, Photoluminescence, Annealing

電気化学堆積したZnOナノロッドのPLスペクトルに対するアニールによる影響を調査した.アニール温度は,150 °C,200 °C,300 °C,400 °C,500 °Cに設定し空気中で1時間アニールした.アニール温度300 °Cのとき,380 nm付近の紫外発光の強度が大きく増加し,ピーク波長が10 nmほど長波長側にシフトしていることが確認できた. また,400 °Cを超えると紫外発光は消滅し深い準位からの660 nm付近にピークを持つ赤い発光が確認できた.