[15a-PB2-1~22] 8 プラズマエレクトロニクス

[15a-PB2-11] 異なる希釈ガスを用いたRF 低圧テトラメチルシランプラズマにおける電極への入射ラジカルの質量分析

〇渡邉 泰章¹、鈴木 駿²、石井 晃一²、小田 昭紀²、太田 貴之³、上坂 裕之⁴ (1.イノベーションサイエンス、2.千葉工大、3.名城大、4.岐阜大)

キーワード：RFプラズマ、テトラメチルシラン、質量分析

ダイヤモンドライクカーボン（ Diamond-Like Carbon，以下DLC）膜の成膜手法として，プラズマ支援化学気相成長（ Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition） 法が多く利用されている．このとき，Si-DLC 成膜時のプラズマ生成用ガスとしてテトラメチルシラン （Tetramethylsilane，以下TMS）がよく用いられている．本研究では，He，Ne，Ar という異なる不活性ガスで希釈されたTMS ガスを用いて容量結合型RF 低圧プラズマを生成し，四重極質量分析装置を用いSi-DLC成膜に寄与する電極に入射するイオン・ラジカルの測定を行ったので，その結果について報告する．