[15a-PB4-1~13] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15a-PB4-8] Passivation of crystalline Si surfaces by Cat-CVD i-a-Si/i-a-Si stacks

〇(M1)Yuki Terakado¹, Thi Cam Tu Huynh¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Silicon heterojunction solar cell, Cat-CVD, passivation

Cat-CVDでのi-a-Siパッシベーション膜形成に関し、エピタキシャル成長抑制を目的に、低温で薄い i-a-Si膜を堆積した後、高温で高品質なi-a-Siを堆積する手法を検討した。1層目の基板温度は130–160 ^oC、2層目は285 ^oCでτ_effが最大値を示す傾向があることが分かった。また、積層構造がパッシベーション性能向上に有効であることを確認した。