[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-A201-1] イオン注入により作製したSiCサイドゲートJFETにおける閾値電圧のチャネル厚依存性から求めた横方向チャネリング量

〇金 祺民¹、中島 誠志²、金子 光顕²、木本 恒暢² (1.京大工、2.京大院工)

キーワード：炭化ケイ素、接合型電界効果トランジスタ、半絶縁性基板

SiCは、耐高温・耐放射線の厳環境デバイス材料として有望視されており、我々はノーマリオフ型n-、p-JFETを組み合わせた相補型JFET(CJFET)による論理回路を提案している。CJFET構成にあたり、n-、p-JFETそれぞれの閾値電圧はCJFET回路の論理閾値を決定するため、その精密制御が必要となる。本研究では、閾値電圧決定に重要であるイオン注入時の横方向チャネリング現象の解釈に向け、JFETの閾値電圧のチャネル厚依存性から横方向チャネリングの定量化を試みる。