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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

2020年3月15日(日) 13:00 〜 17:00 A201 (6-201)

染谷満(産総研)、野口宗隆(三菱電機)

15:45 〜 16:00

△ [15p-A201-11] ウェットPOA処理を用いて形成するp型4H-SiC (0001) MOS界面特性に与える酸素分圧及び温度による影響の考察

〇小柳潤¹、喜多浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：MOS界面