[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-A201-12] 光照射及び低温化により生じるヒステリシスの違いによって検出される
NO-POAと水蒸気POAを行ったp型SiC MOS界面特性の違い

〇長谷川 凛平¹、喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：p型SiC MOS界面特性

p型SiC MOSキャパシタに、ドライ酸化の後、NO-POA、wet-POAを施したものを用意したところ、どちらも、ドライ酸化のみの場合に比べDitは大きく低減されたが、photo-assisted C-V測定と、低温での C-V測定により、欠陥の低減のされ方には違いがあることがわかった。