PDF ダウンロード スケジュール 2 いいね! 0 コメント (0) 16:15 〜 16:30 [15p-A201-13] 超高温プロセスで作製した4H-SiC(0001) pMOSFETの高温特性とCMOS応用 Moges Kidist1、〇細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工) キーワード:SiC、pMOSFET、CMOS