[15p-A201-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[15p-A201-3] Theoretical study for the effect of wet oxidants on the oxidation reactions at 4H-SiC/SiO₂ interface

〇Tsunashi Shimizu¹, Toru Akiyama¹, Pradipto Abdul Muizz¹, Kohji Nakamura¹, Tomonori Ito¹, Hiroyuki Kageshima², Masashi Uematsu³, Kenji Shiraishi⁴ (1.Mie Univ., 2.Shimane Univ., 3.Keio Univ., 4.Nagoya Univ.)

Keywords:4H-SiC/SiO2, interface, first-principles calculation

SiCは熱酸化によりSiO₂絶縁膜が得られ電子デバイスへ適用可能な材料であることから注目を集めている一方、SiC/SiO₂界面では大量の欠陥が形成することが知られている。近年、ドライおよびウェット酸化を同時に扱うことで界面の電気的特性の制御が可能であるという報告がされている。本研究では、第一原理計算を用いてドライおよびウェット酸化種が4H-SiC/SiO₂界面上に共存している場合での界面構造の変化を明らかにし、ドライおよびウェット酸化との相違点について議論する。