[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [15p-A201-9] 時間分解・局所DLTS 法 を用いた マクロステップ を有するSiO₂/SiC の界面準位密度分布の測定(2)

〇保坂 杏奈¹、山末 耕平¹、Woerle Judith^2,3、Ferro Gabriel⁴、Grossner Ulrike²、Camarda Massimo^3,2、長 康雄¹ (1.東北大通研、2.ETH Zurich.、3.Paul Scherrer Inst.、4.リヨン大)

キーワード：界面準位密度、SiC、局所DLTS法

次世代パワーデバイス用の新規材料として注目されているSiは物性限界から期待されるレベルの性能に及んでいない。そこでデバイス性能低下に密接する界面品質低下の原因を探ることが求められている。本報告では既存の手法では実現が困難だったナノスケールでの界面評価を可能とした局所DLTS法を用いて、マクロステップを有するSiO₂/SiCの界面準位密度分布測定、および界面準位密度の角度依存性について評価した。