[15p-A201-1~15] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[15p-A201-8] 低アクセプタ濃度のp型ウェル領域におけるSi面SiC MOS反転層移動度の温度依存性

〇野口 宗隆¹、岩松 俊明¹、網城 啓之¹、渡邊 寛¹、喜多 浩之²、三浦 成久¹ (1.三菱電機(株)、2.東京大学大学院)

キーワード：反転層、移動度、SiC