[15p-A201-1~15] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [15p-A201-9] Observation of interface state density distribution in macrostepped SiO₂/SiC using local-DLTS(2)

〇Anna Hosaka¹, Kohei Yamasue¹, Judith Woerle^2,3, Gabriel Ferro⁴, Ulrike Grossner², Massimo Camarda^3,2, Yasuo Cho¹ (1.Tohoku Univ., 2.ETH Zurich., 3.Paul Scherrer Inst., 4.Lyon Univ.)

Keywords:Interface defect density, SiC, local-DLTS

次世代パワーデバイス用の新規材料として注目されているSiは物性限界から期待されるレベルの性能に及んでいない。そこでデバイス性能低下に密接する界面品質低下の原因を探ることが求められている。本報告では既存の手法では実現が困難だったナノスケールでの界面評価を可能とした局所DLTS法を用いて、マクロステップを有するSiO₂/SiCの界面準位密度分布測定、および界面準位密度の角度依存性について評価した。