[15p-B410-1~11] 3.13 Semiconductor optical devices

[15p-B410-4] Narrow-divergence emission from GaN-based blue VCSELs

〇KENTARO HAYASHI¹, HIROSHI NAKAJIMA¹, MASAMICHI ITO¹, MASAYUKI TANAKA¹, SHOETSU NAGANE¹, TATSUROU JYOKAWA¹, TATSUYA MATOU¹, NORIKO KOBAYASHI¹, OHARA MAHO¹, HIDEKI WATANABE¹, YASUTAKA HIGA¹, TATSUSHI HAMAGUCHI¹, RINTARO KODA¹, KATSUNORI YANASHIMA¹ (1.Sony Corporation)

Keywords:Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser, gallium nitride

凹面鏡を用いたGaN-VCSEL（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser）は,青色帯において世界最小値となる閾値電流(Ith)=0.25 mAでの室温連続発振が,また,2019年には{20-21}の面方位を有する半極性GaN基板上に形成した素子で,青緑帯GaN-VCSEL(波長491-497 nm)の室温連続発振が報告されている. しかしながらこれらの素子は凹面鏡による強い光閉じ込めのため,放射角が8.5度と,平面ミラーの例（5.1度）よりも広い.そこで今回は凹面鏡構造を有する素子のビーム出射角を狭小化する試みを報告する.