2020年第67回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[15p-B410-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2020年3月15日(日) 13:15 〜 16:45 B410 (2-410)

宮本 智之(東工大)、赤羽 浩一(NICT)

14:30 〜 14:45

[15p-B410-4] 凹面鏡を有する青色窒化物面発光レーザの放射角狭小化

林 賢太郎1、中島 博1、伊藤 仁道1、田中 雅之1、長根 昭悦1、條川 達郎1、真藤 達也1、小林 紀子1、大原 真穂1、渡邊 秀輝1、比嘉 康貴1、濱口 達史1、幸田 倫太郎1、簗嶋 克典1 (1.ソニー株式会社)

キーワード:面発光レーザ、窒化ガリウム

凹面鏡を用いたGaN-VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)は,青色帯において世界最小値となる閾値電流(Ith)=0.25 mAでの室温連続発振が,また,2019年には{20-21}の面方位を有する半極性GaN基板上に形成した素子で,青緑帯GaN-VCSEL(波長491-497 nm)の室温連続発振が報告されている. しかしながらこれらの素子は凹面鏡による強い光閉じ込めのため,放射角が8.5度と,平面ミラーの例(5.1度)よりも広い.そこで今回は凹面鏡構造を有する素子のビーム出射角を狭小化する試みを報告する.