[15p-D305-1~13] 1.6 超音波

△ [15p-D305-4] Crドープがｃ軸配向AlN薄膜の結晶配向性と電気機械結合係数に及ぼす影響

〇高野 佑成¹、早川 竜盛¹、鈴木 雅視¹、垣尾 省司¹ (1.山梨大工)

キーワード：AlN薄膜、電気機械結合係数、スパッタ

圧電性増幅が理論的に報告されているが，実験的にGHz帯での電気機械結合係数k値の増幅が確認されていないc軸配向CrAlN膜をスパッタ法で作製し、Crドープが結晶配向性とk値に及ぼす影響を評価した．Cr濃度の増加に伴いAlN(0002)ピークが低角側にシフトし，16 %を超えると再び高角側に戻る現象を確認した．Cr_0.01Al_0.99N膜のk_t²は純AlNの約1.2倍であり、結合係数の増幅を確認した．10%以上のCr濃度では，導電性発現によりバルク波が励振されなかった．