13:30 〜 13:45 [11p-N305-1] NO窒化処理を施した4H-SiC(11-20) MOSデバイスの信頼性評価 〇中沼 貴澄1、岩片 悠1、小林 拓真1、染谷 満2、岡本 光央2、吉越 章隆3、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研、3.原子力機構)
13:45 〜 14:00 △ [11p-N305-2] SiO2/非基底面4H-SiC界面のNO窒化過程の観察と電気特性評価 〇中沼 貴澄1、岩片 悠1、小林 拓真1、染谷 満2、岡本 光央2、細井 卓治1、志村 考功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)