[11p-N305-1~10] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [11p-N305-2] Investigation of nitrogen profiles and interface properties of SiO₂/non-basal-plane 4H-SiC interfaces annealed in NO

〇Takato Nakanuma¹, Yu Iwakata¹, Takuma Kobayashi¹, Mitsuru Sometani², Mitsuo Okamoto², Takuji Hosoi¹, Takayoshi Shimura¹, Heiji Watanabe¹ (1.Osaka univ., 2.AIST)

Keywords:SiC, MOSFET, NO-POA

NO窒化を施したa面、m面、(03-38)面、(0-33-8)面等の非基底面SiC MOSFETは、Si面に比べて高いチャネル移動度を示す。しかし、これらの非基底面のSiO₂/SiC界面構造に関する知見は少ない。我々は、窒化時間を変えたa面SiO₂/SiC構造の走査XPS測定およびMOSキャパシタのC-V特性評価を行い、界面窒素量と界面準位密度の相関について報告した。今回、これらの非基底面に対しても、同様の手法で窒素分布と電気特性との相関を調べたため報告する。