10:30 〜 10:45
〇藤田 一矢1、鈴木 康介1、陳 君怡1、ツォーフーマーク チャン1、伊東 浩之1、山根 大輔2、町田 克之1、益 一哉1、曽根 正人1 (1.東工大、2.立命館大学)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術
10:30 〜 10:45
〇藤田 一矢1、鈴木 康介1、陳 君怡1、ツォーフーマーク チャン1、伊東 浩之1、山根 大輔2、町田 克之1、益 一哉1、曽根 正人1 (1.東工大、2.立命館大学)
10:45 〜 11:00
〇川上 宙輝1、伊藤 勇毅1、Chien Yu-An1、Chiu Wan-Ting1、Chakraborty Parthojit1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、中本 高道1、曽根 正人1 (1.東工大)
11:00 〜 11:15
〇(M2)三本 大貴1、Chiu Wan-Ting1、Chen Chun-Yi1、Chang Tso-Fu Mark1、神野 有沙2、黒子 弘道2、渡辺 靖3、曽根 正人1 (1.東工大、2.奈女大、3.昭和電工マテリアルズ)
11:15 〜 11:30
〇大西 哲1、内山 晃宏1、柴田 滉平1、市川 崇志1、李 尚曄1、飯田 慎一2、石原 昇1、町田 克之1、益 一哉1、伊藤 浩之1 (1.東工大、2.NTT-AT)
11:30 〜 11:45
〇(M2)POWEI CHENG1、Yi Chun Chen1、Taku Ichibayashi1,2、Tso-Fu Mark Chang1、Masato Sone1、Suzushi Nishimura1 (1.Tokyo Tech、2.ENEOS Corp.)
11:45 〜 12:00
〇五十嵐 大夢1、今泉 文伸1 (1.小山高専)
要旨・抄録、PDFの閲覧には参加者用アカウントでのログインが必要です。参加者ログイン後に閲覧・ダウンロードできます。
» 参加者用ログイン