一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション
2021年9月10日(金) 13:30 〜 16:15 N304 (口頭)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
13:30 〜 13:45
高橋 俊範1、〇土田 透子1、羽深 等1、後藤 昭広2 (1.横国大院理工、2.プレテック)
スケジュール
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13:45 〜 14:00
〇根本 悠平1、平川 雅章2、池上 友佳子2 (1.芝浦メカトロニクス、2.東芝 生産技術センター)
スケジュール
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14:00 〜 14:15
〇(M2)竹内 聡1、大堀 大介1、石田 昌久2、田中 麻美2、遠藤 和彦3、寒川 誠二1,4 (1.東北大流体研、2.長瀬産業、3.産総研、4.東北大AIMR)
スケジュール
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14:15 〜 14:30
〇有馬 健太1、和田 陽平1、佐野 修斗1、川合 健太郎1、山村 和也1 (1.阪大院工)
スケジュール
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14:30 〜 14:45
〇(D)今井 友貴1、牧原 克典1、田岡 紀之1、大田 晃生1、宮﨑 誠一1 (1.名大院工)
スケジュール
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15:00 〜 15:15
〇出口 拓実1,2、小林 大輔2、廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.宇宙研)
スケジュール
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15:15 〜 15:30
〇田中 一1、森 伸也1 (1.阪大院工)
スケジュール
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15:30 〜 15:45
〇(M2)Lim JIN HYONG1、森 伸也1 (1.阪大院工)
スケジュール
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15:45 〜 16:00
〇滝澤 諄弥1、富田 基裕1、山中 湧司1、渡邉 孝信1 (1.早大理工)
スケジュール
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16:00 〜 16:15
〇服部 淳一1 (1.産総研)
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