[12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2021年9月12日(日) 09:45 〜 12:00 N323 (口頭)

山根大輔(立命館大)、原史朗(産業技術総合研究所)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

09:45 〜 10:00

[12a-N323-1] シリコン薄膜成長における三塩化ホウ素によるホウ素ドーピング

〇大谷真奈¹、室井光子¹、羽深等¹ (1.横国大院工)

10:00 〜 10:15

室井光子¹、〇羽深等¹ (1.横国大院理工)

10:15 〜 10:30

〇謝林生¹、羽深等¹、牛川治憲² (1.横国大院理工、2.ワッティー(株))

10:30 〜 10:45

堀健太¹、〇川上広樹¹、羽深等¹ (1.横国大院理工)

11:00 〜 11:15

本宮淳弘¹、〇加持裕生¹、羽深等¹、池田伸一^2,3、石田夕起^2,3、原史朗^2,3 (1.横国大院理工、2.ミニマルファブ推進機構、3.産総研)

11:15 〜 11:30

〇後藤哲也¹、小林誠二²、クオンタイ²、薮田勇気³、須川成利¹、原史朗^4,5 (1.東北大未来研、2.コーテック、3.誠南工業、4.産総研、5.ミニマル)

11:30 〜 11:45

〇浜本毅司¹、加瀬雅²、クンプアンソマワン^1,2、原史郎^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研)

11:45 〜 12:00

〇佐藤和重^1,3、千葉貴史^1,3、寺田昌男^1,3、濱田健吾^1,3、クンプアンソマワン^1,2、原史朗^1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.坂口電熱)