一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション [10p-N304-1~10] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション 2021年9月10日(金) 13:30 〜 16:15 N304 (口頭) 嵯峨 幸一郎(ソニー)、森 伸也(阪大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [11a-N304-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2021年9月11日(土) 09:00 〜 12:00 N304 (口頭) 山口 憲司(量研機構)、原 康祐(山梨大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.2 探索的材料物性・基礎物性 [11p-N304-1~13] 13.2 探索的材料物性・基礎物性 2021年9月11日(土) 13:30 〜 17:00 N304 (口頭) 末益 崇(筑波大)、寺井 慶和(九工大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.3 絶縁膜技術 [10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術 2021年9月10日(金) 13:00 〜 16:15 N323 (口頭) 山本 圭介(九大)、三谷 祐一郎(都市大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 [10a-N302-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 2021年9月10日(金) 10:30 〜 12:00 N302 (口頭) 岡田 竜弥(琉球大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 [10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 2021年9月10日(金) 13:30 〜 17:45 N302 (口頭) 葉 文昌(島根大)、佐道 泰造(九大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 [12a-N323-1~8] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 2021年9月12日(日) 09:45 〜 12:00 N323 (口頭) 山根 大輔(立命館大)、原 史朗(産業技術総合研究所)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 [12p-N323-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術 2021年9月12日(日) 13:00 〜 16:15 N323 (口頭) 羽深 等(横国大)、後藤 哲也(東北大)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.5 デバイス/配線/集積化技術 [12a-N304-1~11] 13.5 デバイス/配線/集積化技術 2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N304 (口頭) 松川 貴(産総研)
一般セッション(口頭講演) | 13 半導体 | 13.5 デバイス/配線/集積化技術 [12p-N304-1~14] 13.5 デバイス/配線/集積化技術 2021年9月12日(日) 13:30 〜 17:15 N304 (口頭) 東 悠介(キオクシア)、小池 淳一(東北大)