一般セッション(口頭講演)

[12a-N402-1~11] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

2021年9月12日(日) 09:00 〜 12:00 N402 (口頭)

尾崎壽紀(関西学院大)、寺西亮(九大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[12a-N402-1] エアロゾルデポジションによる酸化物高温超伝導体Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O_y薄膜の作製と評価

〇奥村優一¹、佐藤祐喜¹、吉門進三¹ (1.同大理工)

09:15 〜 09:30

△ [12a-N402-2] 水リフトオフ法を用いたBi系高温超伝導体薄膜の微細加工

〇(M2)橋本歩¹、梶谷亮介¹、長尾雅則²、川江健¹ (1.金沢大理工、2.山梨大院クリスタル研)

09:30 〜 09:45

[12a-N402-3] Bi2223材料の高磁場応用に向けた化学組成制御

〇宮本能伸¹、元木貴則¹、武田宗一郎²、中島隆芳²、山出哲²、下山淳一¹ (1.青学大理工、2.住友電工)

09:45 〜 10:00

[12a-N402-4] フッ素フリーMOD法RE123薄膜に対する低PH₂O下での積層欠陥導入効果

〇金泉莉大¹、元木貴則¹、瀬川雄大¹、大崎瑛介¹、中村新一²、本田元気³、永石竜起³、小林慎一³、下山淳一¹ (1.青学大理工、2.TEP、3.住友電工)

10:00 〜 10:15

△ [12a-N402-5] IBAD基板を用いたFF-MOD法RE123薄膜の作製

〇瀬川雄大¹、元木貴則¹、小澤美弥子¹、中村新一²、本田元気³、永石竜起³、小林慎一³、下山淳一¹ (1.青学大理工、2.TEP、3.住友電工)

10:30 〜 10:45

[12a-N402-6] 1.5 MeV Hイオン照射したFeSe_0.5Te_0.5薄膜の超伝導特性

〇尾崎壽紀¹、柏原卓弥¹、掛谷一弘²、石神龍哉³ (1.関学大工、2.京大工、3.若狭湾エネ研)

10:45 〜 11:00

[12a-N402-7] 強誘電体基板上の高配向V₃Si薄膜成長

〇(M1)浅尾拓斗¹、山田道洋^2,3、白土優^4,3、阿保智¹、真砂啓³、中谷亮一^4,3、小口多美夫³、浜屋宏平^3,1 (1.阪大基礎工、2.JST さきがけ、3.阪大基礎工 CSRN、4.阪大工)

11:00 〜 11:15

[12a-N402-8] 市販REBa₂Cu₃O_y線材における非対称臨界電流

〇土屋雄司¹、鶴田彰宏²、尾崎壽紀³ (1.名大工、2.産総研、3.関学大工)

11:15 〜 11:30

[12a-N402-9] 物理研磨による市販REBa₂Cu₃O_y線材の表面平坦性と臨界電流非対称性の向上

〇鶴田彰宏¹、尾崎壽紀²、土屋雄司³ (1.産総研、2.関学大工、3.名大工)

11:30 〜 11:45

[12a-N402-10] Nd:YAGレーザーを用いて作製したMgB₂薄膜の超伝導特性

〇尾崎壽紀¹、菊川悟志¹、田中里佳²、山本明保²、鶴田彰宏³、土屋雄司⁴ (1.関学大工、2.農工大、3.産総研、4.名大工)

11:45 〜 12:00

[12a-N402-11] Fe基板上に作製したMgB₂薄膜へのポストアニール効果

〇(M1)山崎輝¹、神部大翔¹、川山巌¹、岩中拓夢²、楠敏明²、一瀬中³、土井俊哉¹ (1.京大、2.日立、3.電中研)

一般セッション(口頭講演)

[12p-N402-1~10] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

2021年9月12日(日) 13:30 〜 16:15 N402 (口頭)

舩木修平(島根大)、飯田和昌(名大)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 13:45

[12p-N402-1] 半田接合したREBCO線材の多点I-V特性によるカレントトランスファー解析

〇清水健志¹、前田浩太郎¹、松本要¹、堀出朋哉¹、富田優² (1.九工大院工、2.鉄道総研)

13:45 〜 14:00

[12p-N402-2] BHOを添加したREBCO被覆導体の最適化と酸素ポストアニーリング効果

〇栗林晃宏¹、梶村広之¹、松本要¹、堀出朋哉¹、一瀬中² (1.九工大、2.電中研)

14:00 〜 14:15

△ [12p-N402-3] ダブルペロブスカイト型ナノロッドを導入したYBa₂Cu₃O_7-y薄膜の極微構造解析

〇(M2)権藤匡哉¹、石丸学¹、堀出朋哉¹、松本要¹、喜多隆介² (1.九州工大工、2.静岡大)

14:15 〜 14:30

△ [12p-N402-4] CaをドーピングしたGdBa₂Cu₃O_7-x 超伝導薄膜の臨界電流特性

〇水野光樹¹、アロクジャー¹、松本要¹、堀出明哉¹ (1.九州工業大学)

14:30 〜 14:45

[12p-N402-5] Ba₂YbNbO₆ナノロッドの導入によるYBCO薄膜の臨界電流密度向上

〇(M2)吉田悠雅¹、堀出朋哉¹、喜多隆介²、石丸学¹、松本要¹ (1.九工大、2.静岡大)

15:00 〜 15:15

[12p-N402-6] REBCO-CCの中間層に用いるLaNiO₃薄膜の熱処理と抵抗率の関係

〇舩木修平¹、樋口真依¹、山田容士¹、土井俊哉² (1.島根大自然、2.京大院エネ科)

15:15 〜 15:30

△ [12p-N402-7] 基板自己抵抗加熱方式を用いて様々な基板温度で作製したBaHfO₃添加YBa₂Cu₃O_y薄膜の磁場中超伝導特性

〇山村太貴¹、土屋雄司¹、一野祐亮²、吉田隆¹、一瀬中³ (1.名大工、2.愛工大、3.電中研)

15:30 〜 15:45

△ [12p-N402-8] Vapor-Liquid-Solid成長法で作製した厚膜YBa2Cu3Oy線材の磁場中臨界電流

〇(M1)美和虎之介¹、伊東智寛¹、土屋雄司¹、吉田隆¹ (1.名大工)

15:45 〜 16:00

[12p-N402-9] REBCO自立超伝導膜を目指した水溶性NaCl基板上へのAuバッファ層の作製

〇一野祐亮¹、曽根功起¹、宮野泰成¹、清家善之¹、森竜雄¹ (1.愛工大)

16:00 〜 16:15

[12p-N402-10] MOD法によるBaHfO₃添加YBa₂Cu₃O_y膜作製時のBa塩追加の効果

〇寺西亮¹、山田眞¹、佐藤幸生¹、金子賢治¹、井上昌睦²、岡田達典³、淡路智³ (1.九州大工、2.福岡工大、3.東北大金研)

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11 超伝導 » 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[12a-N402-1~11] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[12a-N402-1] エアロゾルデポジションによる酸化物高温超伝導体Bi₂Sr₂Ca₂Cu₃O_y薄膜の作製と評価

△ [12a-N402-2] 水リフトオフ法を用いたBi系高温超伝導体薄膜の微細加工

[12a-N402-3] Bi2223材料の高磁場応用に向けた化学組成制御

[12a-N402-4] フッ素フリーMOD法RE123薄膜に対する低PH₂O下での積層欠陥導入効果

△ [12a-N402-5] IBAD基板を用いたFF-MOD法RE123薄膜の作製

[12a-N402-6] 1.5 MeV Hイオン照射したFeSe_0.5Te_0.5薄膜の超伝導特性

[12a-N402-7] 強誘電体基板上の高配向V₃Si薄膜成長

[12a-N402-8] 市販REBa₂Cu₃O_y線材における非対称臨界電流

[12a-N402-9] 物理研磨による市販REBa₂Cu₃O_y線材の表面平坦性と臨界電流非対称性の向上

[12a-N402-10] Nd:YAGレーザーを用いて作製したMgB₂薄膜の超伝導特性

[12a-N402-11] Fe基板上に作製したMgB₂薄膜へのポストアニール効果

[12p-N402-1~10] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[12p-N402-1] 半田接合したREBCO線材の多点I-V特性によるカレントトランスファー解析

[12p-N402-2] BHOを添加したREBCO被覆導体の最適化と酸素ポストアニーリング効果

△ [12p-N402-3] ダブルペロブスカイト型ナノロッドを導入したYBa₂Cu₃O_7-y薄膜の極微構造解析

△ [12p-N402-4] CaをドーピングしたGdBa₂Cu₃O_7-x 超伝導薄膜の臨界電流特性

[12p-N402-5] Ba₂YbNbO₆ナノロッドの導入によるYBCO薄膜の臨界電流密度向上

[12p-N402-6] REBCO-CCの中間層に用いるLaNiO₃薄膜の熱処理と抵抗率の関係

△ [12p-N402-7] 基板自己抵抗加熱方式を用いて様々な基板温度で作製したBaHfO₃添加YBa₂Cu₃O_y薄膜の磁場中超伝導特性

△ [12p-N402-8] Vapor-Liquid-Solid成長法で作製した厚膜YBa2Cu3Oy線材の磁場中臨界電流

[12p-N402-9] REBCO自立超伝導膜を目指した水溶性NaCl基板上へのAuバッファ層の作製

[12p-N402-10] MOD法によるBaHfO₃添加YBa₂Cu₃O_y膜作製時のBa塩追加の効果

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11 超伝導 » 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

[12a-N402-1~11] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [12a-N402-2] 水リフトオフ法を用いたBi系高温超伝導体薄膜の微細加工

△ [12a-N402-5] IBAD基板を用いたFF-MOD法RE123薄膜の作製

[12p-N402-1~10] 11.2 薄膜，厚膜，テープ作製プロセスおよび結晶成長

△ [12p-N402-3] ダブルペロブスカイト型ナノロッドを導入したYBa2Cu3O7-y薄膜の極微構造解析

△ [12p-N402-4] CaをドーピングしたGdBa2Cu3O7-x 超伝導薄膜の臨界電流特性

△ [12p-N402-7] 基板自己抵抗加熱方式を用いて様々な基板温度で作製したBaHfO3添加YBa2Cu3Oy薄膜の磁場中超伝導特性

△ [12p-N402-8] Vapor-Liquid-Solid成長法で作製した厚膜YBa2Cu3Oy線材の磁場中臨界電流

認証

△ [12p-N402-3] ダブルペロブスカイト型ナノロッドを導入したYBa₂Cu₃O_7-y薄膜の極微構造解析

△ [12p-N402-4] CaをドーピングしたGdBa₂Cu₃O_7-x 超伝導薄膜の臨界電流特性

△ [12p-N402-7] 基板自己抵抗加熱方式を用いて様々な基板温度で作製したBaHfO₃添加YBa₂Cu₃O_y薄膜の磁場中超伝導特性