[10a-N104-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[10a-N104-3] Effect of the prior reverse bias application on the Na-related potential-induced degradation of n-type crystalline Si photovoltaic modules

〇(M2)Deqin Wu¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:potential-induced degradation, crystalline silicon solar cells

本研究では，n型結晶Si太陽電池モジュールのNa起因の電圧誘起劣化への事前逆バイアス印加の影響を調査した．5 min，5 h，10 hの+1000 Vの逆バイアスをセルに印加した後，逆バイアス印加無しの対照試料とともに，カバーガラス表面に設置したAl板を基準として，セルに−1000 Vを印加し，PID試験を行う．長時間の事前逆バイアス印加でカバーガラスや封止材中のNaがセル表面から遠ざけられ，Naがセル内に侵入するの時間が延長すると考えられる．