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[10p-N104-12] Surface passivation on crystalline silicon surfaces by SiNx/SiOx stacks formed by catalytic chemical vapor deposition and nitric acid oxidation
Keywords:surface passivation, thin film oxide
Si基板表面に形成した硝酸酸化(NAOS)膜上に、触媒化学気相堆積法によってSiNx膜を堆積し、窒素雰囲気での加熱処理前後でのQSSPC測定を行った。SiNx堆積前にNAOSを施すことにより、少数キャリア寿命が大幅に向上した。特に25 °CでのNAOS、350 °Cでの加熱処理条件にて、730 mVのImplied Vocが得られた。また、低温でNAOSを行ったものほど少数キャリア寿命が長く、SiNx/SiOx積層膜のパッシベーション性能は、極薄酸化膜の膜質や膜厚の違いに影響していることが示唆された。