[10p-N104-1~18] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[10p-N104-12] Surface passivation on crystalline silicon surfaces by SiN_x/SiO_x stacks formed by catalytic chemical vapor deposition and nitric acid oxidation

〇(D)Hiroki Nakajima¹, Huynh Thi Cam Tu¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:surface passivation, thin film oxide

Si基板表面に形成した硝酸酸化(NAOS)膜上に、触媒化学気相堆積法によってSiN_x膜を堆積し、窒素雰囲気での加熱処理前後でのQSSPC測定を行った。SiN_x堆積前にNAOSを施すことにより、少数キャリア寿命が大幅に向上した。特に25 °CでのNAOS、350 °Cでの加熱処理条件にて、730 mVのImplied V_ocが得られた。また、低温でNAOSを行ったものほど少数キャリア寿命が長く、SiN_x/SiO_x積層膜のパッシベーション性能は、極薄酸化膜の膜質や膜厚の違いに影響していることが示唆された。