[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-10] 高密度FeナノドットへのSiH₄照射によるシリサイド化反応制御

〇古幡 裕志¹、牧原 克典¹、大田 晃生¹、田岡 紀之¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：ナノドット、Feシリサイド