[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-11] 急速熱処理法によるInSb薄膜/ガラス基板の結晶成長

梶原 隆司¹、霜田 音吉²、岡田 竜弥²、チャリット ジャヤナダ コスワッタゲー²、野口 隆²、〇佐道 泰造¹ (1.九大工/システム情報、2.琉大工)

キーワード：半導体、InSb

ガラス基板上におけるInSn薄膜の急速熱処理法(RTA)による結晶成長を検討したので報告する。