[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

△ [10p-N302-12] 分子動力学法によるアモルファスGeの液相媒介結晶化過程の解析

〇(M1)長岡 駿弥¹、石丸 学¹ (1.九州工大)

キーワード：爆発的結晶化、アモルファスGe、分子動力学法

薄膜トランジスタはアモルファス半導体へのレーザーやフラッシュランプアニールにより製造される。この際に結晶化が高速で進行する「爆発的結晶化」が生じることが報告されている。本研究では、分子動力学法によりアモルファスGeの結晶化過程を調査した。その結果、ガラス転移点よりも高い温度で保持すると、アモルファス/結晶界面に液体層が形成し、それを介して高速な結晶化が起こることが確認された。