[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-13] シリコンウェハ内の過渡的熱拡散過程のイメージング技術に関する研究

〇(M1)松口 康太郎¹、藤本 渓也¹、Yu Jiawen¹、花房 宏明¹、佐藤 拓磨¹、東 清一郎¹ (1.広島大先進理工)

キーワード：シリコン、温度測定

本研究室ではこれまでにシリコンウェハの超急速熱処理中の温度変化を,赤外プローブレーザーを用いて測定する光学干渉非接触温度測定技術(Optical-Interference Contactless Thermometry : OICT) [1] を開発してきた.本研究では,従来のフォトダイオードによる反射光測定部をハイスピードカメラ(HSC)に置き換えることにより,干渉縞を二次元的に捉えるイメージング測定系を設計製作し,シリコンウェハ内部における熱拡散過程の可視化を試みた.