[10p-N302-1~15] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [10p-N302-12] Liquid-mediated crystallization in amorphous Ge studied by molecular-dynamics simulations

〇(M1)Shunya Nagaoka¹, Manabu Ishimaru¹ (1.Kyushu Inst. Tech.)

Keywords:explosive crystallization, amorphous Ge, molecular dynamics simulation

薄膜トランジスタはアモルファス半導体へのレーザーやフラッシュランプアニールにより製造される。この際に結晶化が高速で進行する「爆発的結晶化」が生じることが報告されている。本研究では、分子動力学法によりアモルファスGeの結晶化過程を調査した。その結果、ガラス転移点よりも高い温度で保持すると、アモルファス/結晶界面に液体層が形成し、それを介して高速な結晶化が起こることが確認された。