[10p-N302-1~15] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

△ [10p-N302-14] Electronic State Analysis of Plasma-Damaged Layers at the Sidewalls of Si Deep-RIE Holes Using Micro Photoreflectance Spectroscopy

〇Takashi Hamano^1,2, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:Plasma-Induced Damage, Si Deep-RIE Hole, Electronic State Analysis

近年デバイス構造の3次元立体化に伴い，複雑な3次元構造作製過程におけるプラズマ誘起欠陥形成が懸念されている．計算科学により3次元特有の欠陥形成機構が予測される一方，微細構造体内部の局所領域における電子状態変化の同定は難しい．本研究では非接触，高感度な光学的欠陥解析手法である顕微フォトリフレクタンス分光法を応用して，Si深掘り孔側壁に形成される欠陥層の電子状態を詳細に解析した．