[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-5] 金属蒸着シリコン細路部の局所溶融による突起構造の液相エピタキシャル結晶成長

〇西村 高志¹、富取 正彦² (1.鈴鹿高専、2.北陸先端大)

キーワード：液相エピタキシャル結晶成長、細路の局所加熱

これまで我々は，Si表面を局所融解させて，その溶融Siを特定領域へ移動・堆積させて液相エピ成長させることで，微細結晶を成長させた．この結晶成長を大面積パターン形成プロセスに応用するための実験モデルとして1 mm幅程度の細路パターンにおける局所溶融液相エピ成長を調べた．細路部を通電加熱すると細路が溶融破断され，細路があった左右の表面に突起構造が形成された．突起は基板背面にはなく，上面のみに形成された．