[10p-N302-1~15] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10p-N302-5] Liquid phase epitaxy of silicon protrusions on a metal deposited silicon wafer, fabricated near a narrow path fused by DC heating

〇Takashi Nishimura¹, Masahiko Tomitori² (1.Suzuka college, 2.JAIST)

Keywords:Liquid phase epitaxy, a narrow path fused by DC heating

これまで我々は，Si表面を局所融解させて，その溶融Siを特定領域へ移動・堆積させて液相エピ成長させることで，微細結晶を成長させた．この結晶成長を大面積パターン形成プロセスに応用するための実験モデルとして1 mm幅程度の細路パターンにおける局所溶融液相エピ成長を調べた．細路部を通電加熱すると細路が溶融破断され，細路があった左右の表面に突起構造が形成された．突起は基板背面にはなく，上面のみに形成された．