[10p-N302-1~15] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10p-N302-6] Explosive Crystallization of Amorphous Germanium Films by Irradiation with an Electron Beam of SEM-level Energies

〇Ryusuke Nakamura¹, Atsushi Matsumoto¹ (1.Osaka Pref. Univ.)

Keywords:germanium, explosive crystallization, electron-beam irradiation

1~20 keVのSEM級エネルギーの電子ビームの照射によるアモルファスゲルマニウム薄膜の結晶化挙動を調査した．2~20 keVの電子ビームの照射により爆発的結晶化が起こった．爆発的結晶化に要する電子フラックスの閾値は10¹⁵ ~ 10¹⁶ m⁻² s⁻¹の範囲であり，3 keVで最低となった．これらの値は，100 keVでの閾値よりも5桁ほど低く，効率的に結晶化を励起することがわかった．