[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-6] SEM級エネルギーの電子ビーム照射によるアモルファスゲルマニウム薄膜の爆発的結晶化

〇仲村 龍介¹、松元 惇¹ (1.大阪府立大学)

キーワード：ゲルマニウム、爆発的結晶化、電子ビーム照射

1~20 keVのSEM級エネルギーの電子ビームの照射によるアモルファスゲルマニウム薄膜の結晶化挙動を調査した．2~20 keVの電子ビームの照射により爆発的結晶化が起こった．爆発的結晶化に要する電子フラックスの閾値は10¹⁵ ~ 10¹⁶ m⁻² s⁻¹の範囲であり，3 keVで最低となった．これらの値は，100 keVでの閾値よりも5桁ほど低く，効率的に結晶化を励起することがわかった．