[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-7] GeスピンMOSFETのための低温（～250°C）デバイスプロセスの構築

〇松尾 拓朗¹、山本 圭介¹、王 冬¹ (1.九大総理工)

キーワード：ゲルマニウム、スピンMOSFET、低温プロセス