[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-8] エピタキシャルHfGe₂/n-Ge(001)コンタクトの微細化による界面平坦性および電気伝導特性の均一性向上

〇笠原 健太郎¹、柴山 茂久¹、坂下 満男¹、中塚 理^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：ゲルマニウム、コンタクト抵抗率、HfGe2