[10p-N302-1~15] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[10p-N302-9] Formation of germanide using flash lamp annealing (FLA) and influence of annealing on active impurities

〇Hideaki Tanimura¹, Hikaru Kawarazaki¹, Shinichi Kato¹, Ryota Wada², Takahiro Higuchi², Tsutomu Nagayama², Takashi Kuroi² (1.SCREEN Semiconductor Solutions, 2.NISSIN ION EQUIPMENT)

Keywords:FLA, Germanide, Diffusion

所望のGe CMOSのIon特性を得る為には、コンタクト抵抗を下げる必要がある。従来型のランプアニール(RTA)で形成すると、Ge中のドナーは拡散係数が大きいので、金属/半導体界面に偏析させたドナーが拡散し、コンタクト抵抗は下がらない。フラッシュランプアニール(FLA)を用いることにより、ドーパントの拡散を抑制しジャーマナイド形成ができたので、報告する。