[10p-N302-1~15] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[10p-N302-9] FLAによるジャーマナイド形成と活性不純物に与える影響

〇谷村 英昭¹、河原崎 光¹、加藤 慎一¹、和田 涼太²、樋口 隆弘²、永山 勉²、黒井 隆² (1.SCREENｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ、2.日新イオン機器)

キーワード：フラッシュランプアニール、ジャーマナイド、拡散

所望のGe CMOSのIon特性を得る為には、コンタクト抵抗を下げる必要がある。従来型のランプアニール(RTA)で形成すると、Ge中のドナーは拡散係数が大きいので、金属/半導体界面に偏析させたドナーが拡散し、コンタクト抵抗は下がらない。フラッシュランプアニール(FLA)を用いることにより、ドーパントの拡散を抑制しジャーマナイド形成ができたので、報告する。