[10p-N303-1~19] 13.8 光物性・発光デバイス

[10p-N303-18] Mg₂Si結晶のキャリア濃度と赤外吸収の関係

〇土田 裕大¹、水沼 直樹¹、鵜殿 治彦¹ (1.茨城大院理工)

キーワード：Mg2Si、赤外吸収、FTIR

我々はn型Mg₂Siに生じる0.4eV付近の光吸収ピーク値からキャリア濃度を簡易に見積もれる可能性を報告している。しかし、過去の報告で用いた試料のキャリア濃度は偏っており、特定の範囲においては吸収値の調査が不十分であった。今回、n型Mg₂Siのキャリア濃度と赤外吸収の関係をより詳細に調査するために、様々なキャリア濃度のMg₂Si結晶の0.4eVの光吸収の評価を行ったので報告する。