[10p-N321-1~3] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[10p-N321-2] MBE法によるストイキオメトリなSnTe(100)薄膜の作製

〇(B)坪井 海人

キーワード：半導体、SnTe、X線回折

SnTeはスピントロニクス分野への応用などで期待されている。我々は MBE法によりGaAs(100)基板上にSnTe薄膜を作製することを試みた。作製した試料の結晶性について、X線回折測定の結果を用いて説明する。