[10p-N323-1~12] 13.3 Insulator technology

[10p-N323-12] Evaluation of Dielectric Degradation in MOS Structures Under Reverse-Bias Stress Using Time-Dependent Impedance Spectroscopy (TDIS)

〇Tomohiro Kuyama^1,2, Keiichiro Urabe¹, Koji Eriguchi¹ (1.Kyoto Univ., 2.JSPS Research Fellow)

Keywords:Impedance spectroscopy, Dielectric breakdown, Plasma-induced damage

誘電体薄膜で確率的に生じるソフトブレイクダウン（SBD）の絶縁膜経時破壊（TDDB）特性は，微細化した先端デバイスの信頼性予測において重要である．しかし，直流計測のTDDB試験では，SBDに伴う物性変化を詳細に知ることは難しい．そこで我々は，ストレス印加下でインピーダンス分光を行う経時的インピーダンス分光解析（TDIS）法を提案した．今回は，逆バイアス印加下でTDIS法を用いて，SBDに伴うMOS構造の劣化過程を解析した結果を報告する．