[10p-N323-1~12] 13.3 絶縁膜技術

[10p-N323-12] 経時的インピーダンス分光解析を用いた逆バイアスストレス印加下の絶縁膜特性劣化過程の解析

〇久山 智弘^1,2、占部 継一郎¹、江利口 浩二¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員DC)

キーワード：インピーダンス分光、絶縁破壊、プラズマ誘起ダメージ

誘電体薄膜で確率的に生じるソフトブレイクダウン（SBD）の絶縁膜経時破壊（TDDB）特性は，微細化した先端デバイスの信頼性予測において重要である．しかし，直流計測のTDDB試験では，SBDに伴う物性変化を詳細に知ることは難しい．そこで我々は，ストレス印加下でインピーダンス分光を行う経時的インピーダンス分光解析（TDIS）法を提案した．今回は，逆バイアス印加下でTDIS法を用いて，SBDに伴うMOS構造の劣化過程を解析した結果を報告する．