[10p-S202-1~14] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[10p-S202-11] 紫外線照射による4H-SiC エピ層内積層欠陥の拡張開始点

〇松下 洋介¹、高野 和美¹、五十嵐 靖行¹、佐々木 宗生²、山田 雄也² (1.株式会社アイテス、2.滋賀県工業技術総合センター)

キーワード：炭化ケイ素、基底面転位、ショックレイ型積層欠陥

4H-SiC MOSFETは順方向通電によりエピ層中の基底面転位（BPD）がショックレイ型積層欠陥（SSF）に拡張し、電気特性劣化を引き起こすことが知られている。
同様のSSFの拡張を紫外線照射により発生させ、UV-PL法でSSFの拡張開始点を観察した結果、BPD-TED転換位置は深さ方向に広く分布しているのに対し、拡張開始点の多くは、基板とバッファ層の界面近傍に集中していることが分かった。