[10p-S203-1~21] 6.3 Oxide electronics

[10p-S203-1] Preparation of transparent ReRAM using (ZnO)_1-x-(SnO₂)_x multi-compomemt n-type oxide semiconductor thin films

〇(M1)Ryota Kobayashi¹, Yutarou Taniguchi¹, Toshihiro Miyata¹ (1.KIT)

Keywords:thin film

(ZnO)_1-X-(SnO₂)_X多元系n形酸化物半導体薄膜を抵抗変化層、上部及び下部電極に酸化物透明導電膜をそれぞれ採用する透明ReRAMを作製し、結晶学的特性と抵抗変化特性について詳細に検討した。