[10p-S203-1~21] 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-S203-1] (ZnO)_1-x-(SnO₂)_x多元系n形酸化物半導体薄膜を用いる透明ReRAMの作製

〇(M1)小林 亮太¹、谷口 佑太朗¹、宮田 俊弘¹ (1.金沢工大)

キーワード：薄膜

(ZnO)_1-X-(SnO₂)_X多元系n形酸化物半導体薄膜を抵抗変化層、上部及び下部電極に酸化物透明導電膜をそれぞれ採用する透明ReRAMを作製し、結晶学的特性と抵抗変化特性について詳細に検討した。