[11a-N205-1~11] CS.9 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェアセッション

[11a-N205-1] 【注目講演】レーザー光電子顕微鏡による強誘電体Hf_0.5Zr_0.5O₂キャパシタの非破壊分析

〇藤原 弘和¹、谷内 敏之²、Bareille Cédric²、小林 正治³、辛 埴^2,4 (1.東大物性研、2.東大新領域MIRC、3.東大d.lab、4.東大特別教授室)

キーワード：強誘電体、キャパシタ、非破壊分析

Hf_0.5Zr_0.5O₂(HZO)を用いた強誘電体キャパシタにおけるACストレス印加時の特性変動の原因として酸素欠損の再配置が提案されている。本研究では、電極越しに非破壊でHZO中の酸素欠損分布を直接観測するために、TiN/HZO/TiNキャパシタに対して光電子顕微鏡(PEEM)による観察を行なった。実験結果から、約30nmと約200nmの２種類のサイズの強度コントラストを観測した。後者はSEM観察では観測されておらず、PEEMによってSEMでは得られない情報を取得できる可能性を示した。