[11a-N205-1~11] CS.9 Code-sharing Session of 6.1 & 13.3 & 13.5

[11a-N205-2] Investigation of suppression of SiO₂ interfacial layer formation during ferroelectric non-doped HfO₂ formation

〇Masakazu Tanuma¹, Joong-Won Shin¹, Shun-ichiro Ohmi¹ (1.Tokyo Inst. of Technology)

Keywords:Ferroelectric non-doped HfO2, MFSFET, RF magnetron sputtering

強誘電体HfO₂薄膜は、従来の強誘電体材料では困難であったSi基板上への形成が可能であり、強誘電体ゲートトランジスタ(MFSFET)への応用が期待されている。前回、我々はHf界面層を導入した膜厚10 nmの強誘電性ノンドープHfO₂を用いたMFSFETに関して報告した。今回、低誘電率のSiO₂界面層形成の抑制を目的として、HfO₂のスパッタ条件に関する検討を行ったので報告する。